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石英晶體振蕩器
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格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
ILSI晶振 | 單位 | ILCX03晶振 | 石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 8~150MHz | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C~+85°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | 0℃~+70℃ | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 | DL | 100μW Max. | 推薦:100μW ~ 300μW |
頻率公差 | f_— l | ±30ppm |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.huaxiaqing.com/ |
頻率溫度特征 | f_tem | ±50× 10-6 /-30°C~+85°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 | CL | 18pF | 不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -10°C— +60°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
TXC,NDK,希華.jpg)


抗沖擊
貼片環(huán)保晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體諧振器性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用耐高溫車載晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.


ILSI集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意.
根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.
ILSI晶振集團(tuán)將確保其進(jìn)口石英晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
ILSI晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系

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